浪逼流水了想要大鸭子操,亚洲最大的偷拍视频网站,男生插入女生阴道的视频,国产明星xxxx色视频

技術(shù)文章您現(xiàn)在的位置:首頁 > 技術(shù)文章 > LMR23630AFDDAR 開關(guān)穩(wěn)壓器技術(shù)參數(shù)

LMR23630AFDDAR 開關(guān)穩(wěn)壓器技術(shù)參數(shù)

更新時間:2023-04-19   點擊次數(shù):815次

 

MSL評級/峰值回流

1-260C-UNLIM級

質(zhì)量、可靠性

&包裝信息

查看或下載

出口分類

*僅供參考


美國ECCN:EAR99

更多TPS54202信息

參數(shù)

技術(shù)文件

設計與開發(fā)

支持和培訓

包裝信息

包裝|別針

SOT-23-th(DDC)|6

工作溫度范圍(°C)

-40至125

包裝數(shù)量|承運商

3000 |大型T&R

TPS54202的功能

4.5V至28-V寬輸入電壓范圍

集成148-mΩ和78-mΩMOSFET,用于2A,連續(xù)輸出電流

低2µA停機,45µA靜態(tài)電流

內(nèi)部5-mS軟啟動

固定的500 kHz開關(guān)頻率

頻譜擴展以減少EMI

高級環(huán)保模式™ 脈沖跳躍

峰值電流模式控制

內(nèi)部回路補償

具有打嗝模式保護的兩個MOSFET的過電流保護

過電壓保護

熱關(guān)斷

SOT-23(6)包

TPS54202的說明

TPS54202是一款4.5V至28-V輸入電壓范圍的2A同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件包括兩個集成開關(guān)FET、內(nèi)部環(huán)路補償和5ms內(nèi)部軟啟動,以減少元件數(shù)量。


通過集成MOSFET并采用SOT-23封裝,TPS54202實現(xiàn)了高功率密度,并在PCB上提供了小的占地面積。


先進的Eco模式實現(xiàn)最大限度地提高了輕負載效率并降低了功率損耗。


為了減少EMI,引入了擴頻操作。


兩個高側(cè)MOSFET中的逐周期電流限制在過載條件下保護轉(zhuǎn)換器,并且通過防止電流失控的低側(cè)MOSFET續(xù)流電流限制來增強。如果過電流狀態(tài)持續(xù)時間超過當前時間,則會觸發(fā)打嗝模式保護。

 

北京志鴻恒拓科技有限公司

北京志鴻恒拓科技有限公司

地址:北京市朝陽區(qū)建國路88號soho現(xiàn)代城

© 2025 版權(quán)所有:北京志鴻恒拓科技有限公司  備案號:京ICP備16029562號-5  總訪問量:649998  sitemap.xml  技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng)  管理登陸

蓬莱市| 全椒县| 泸定县| 定结县| 扶沟县| 兴海县| 仪陇县| 阿克陶县| 长岛县| 芦山县| 延长县| 景宁| 高阳县| 宝应县| 荆门市| 鹰潭市| 象山县| 武汉市| 通城县| 赤峰市| 永平县| 资源县| 榆树市| 通渭县| 齐河县| 余江县| 扎囊县| 定襄县| 元谋县| 阿尔山市| 色达县| 杭锦旗| 永丰县| 灌阳县| 兴仁县| 民乐县| 志丹县| 西乡县| 张家界市| 全椒县| 栾城县|